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Sn monatomioc layers慈幸 範洋*; Almokhtar, M.*; 武田 全康; 鈴木 淳市; 新庄 輝也*; 壬生 攻*
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 272-276(Part2), p.1233 - 1234, 2004/05
Cr/Sn及びFe/Cr/Sn/Cr多層膜の磁性のエピタキシャル成長方向依存性を調べた。Fe/Sr/Sn/Cr多層膜では、(011)と(001)方向に成長させた多層膜において、Cr磁気モーメントが縮むことがわかった。また、(011)の方が(001)よりも影響を大きく受けることがわかった。80
のCr層厚を持つCr/Sn多層膜では、(011)に成長した膜ではバルクで観測されるスピン密度波ではなく、単純な反強磁性構造が現れるが、(001)の場合には、膜面に垂直な波数ベクトルを持つスピン密度波が低温で観測された。
八巻 徹也; 浅井 圭介*
Langmuir, 17(9), p.2564 - 2567, 2001/05
被引用回数：41 パーセンタイル：92.2(Chemistry, Multidisciplinary)TiO
ナノシートと有機分子から成る新規なハイブリッド多層膜をラングミュア-ブロジェット法によって作製することに成功した。層状チタン酸化合物H
Ti
□
O
・HO (x
0.7; □, 空孔)を剥離ゾル化した溶液上に臭化ジオクタデシルジメチルアンモニウム(DODAB)のクロロホルム溶液を展開すると、安定な単分子膜が形成された。DODAB分子とTiOナノシートが形成したハイブリッド単分子膜は、疎水化した石英ガラス基板上に定量的に累積された。X線回折測定によると、この試料は繰り返し単位3.4 nmでアンモニウム分子とTiOが交互積層した多層膜であった。
Ulyanenkov, A.*; 松尾 隆二*; 表 和彦*; 稲葉 克彦*; 原田 仁平*; 石野 雅彦; 西井 正信; 依田 修
Journal of Applied Physics, 87(10), p.7255 - 7260, 2000/05
被引用回数：33 パーセンタイル：76.33(Physics, Applied)イオンビームスパッタ法により、Si基板及びガラス基板上にMo/Si多層膜を積層させた。X線の共鳴散乱及び散漫散乱回折による多層膜の界面構造測定を行った。界面粗さの縦方向及び横方向の相関長を含むDWBA法により、測定結果を定性的定量的に評価し、周期性及び界面構造の詳細を導いた。拡散層の厚さは、蒸着物質に依存し、重いMoはSi層に深く埋め込まれることがわかった。また、基板材料の違いにより、相関長とフラクタル次元に差がでた。Si基板上の多層膜では界面が滑らかで短周期の変動を持ち、一方のガラス基板では、かなり大きな界面粗さを持ち、相関長がほとんどないことがわかった。これらの相違は、多層膜反射鏡の反射特性に影響を及ぼすもので、X線の散乱から得られる界面粗さの相関長の情報は、多層膜の構造評価に極めて重要である。
山本 慧; McKeever, B.*
no journal, ,
We theoretically describe non-equilibrium spin transport in metal-insulator interfaces. From the interface exchange interaction between the conduction electrons and the insulator spins, we derive semi-classical stochastic equations of motion for the spins. The non-equilibrium driving here originates from spin accumulation of the electrons at the interface. From the resulting equations of motion, microscopic contributions are identified for damping-like spin transfer torque, interfacial Gilbert damping, and noise magnetic fields. We discuss the relevant elastic and inelastic scattering processes responsible for each contribution. Within the same framework, we also derive an expression for the interface spin current. This is written only in terms of the stochastic insulator spin variables, providing a convenient basis for numerical simulations of insulator spin transport.
